2024中国上海国际集成电路与半导体产业展览会

2024中国上海国际集成电路与半导体产业展览会
2024China Shanghai International Integrated Circuit and Semiconductor Industry Exhibition
同期召开：中国半导体发展高峰论坛

时间：2024年 11 月 18-20 日
地点：上海新国际博览中心

我国《“十四五”规划》中，明确提出要加快集成电路、芯片及半导体行业的发展，推动计算芯片、存储芯片等创新，加快集成电路设计工具、重点装备和高纯靶材等关键材料研发，推动绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、微机电系统（MEMS）等特色工艺突破。布局战略性前沿性技术。

组委会：136 5198 3978 李先生

为更好的推动半导体业界交流互动，提升半导体行业国际化水平，“2024 中国上海国际集成电路与半导体产业展览会” 将于 2024年 11 月 18-20 日在上海新国际博览中心隆重召开。本次展览分为展览展示、高峰论坛和学术会议三大板块，是集成电路与半导体行业的年度盛会，也是半导体行业和相关产业交流合作的综合性专业展示平台。

预计规模Estimated scale：

90，000+专业观众

60，000+平方展览面积

800+参展商

20个主题，100+场行业研讨活动

参展范围Scope of Exhibits：

IC产品：IC产品与技术、IC测试方法与测试仪器、IC设计与设计工具、IC制造与封装；

半导体设备：半导体封装设备、扩散设备、焊接设备、清洗设备、测试设备、制冷设备、氧化设备等；

半导体材料：单晶硅、硅片、锗硅材料、S01材料、氧化镓材料（Ga2O3）、金刚石、太阳能电池用硅材料及化合物半导体材料、石英制品、石墨制品、防静电材料等；

集成电路及应用：微处理器、第三代半导体. FPGA.电源管理、数模转换器、传感器等；

智能制造和高端装备：电子生产设备、SMT组装及系统、仪器仪表、3D打印等；

光电子：红外技术应用、激光智能制造、光通信与智慧感知、光学，精密光学制造、光电检测及测试测量等；

集成电路终端产品：人工智能、物联网、智慧城市、智能家居、智能终端、汽车电子、LED、健康医疗等智能化应用类；

第一代半导体材料：

以硅(Si)、锗(Ge)为代表，在19世纪50年代，Ge主导了半导体市场，主要用在低频、低电压、中等功耗的晶体管和光电探测器，但是Ge半导体器件不耐辐照和高温，在19世纪60年代逐渐被Si器件取代，现在Si占据了超过95%的半导体器件市场，在集成电路中几乎100%的采用Si材料。

应用场景十分广泛，从尖端的CPU、GPU、存储芯片，再到各种充电器中的功率器件都可以做，但其自身特性限制了在高频高压高功率器件的应用。

第二代半导体材料：

以砷化镓 (GaAs)、磷化铟 (InP)为代表，随着以光纤通信为基础的信息高速公路和互联网的兴起，GaAs、InP等第二代半导体材料开始崭露头角。与硅相比，第二代半导体材料具有禁带宽度大、电子饱和迁移率高、光电特性好、耐高温、抗辐射等特性。磷化铟半导体激光器是光通信系统的关键器件，砷化镓高速器件更开拓了光纤及移动通信新产业。

第三代半导体材料：

以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表，第三代半导体材料具有更优的电子迁移率、带隙、击穿电压、高频、耐高温的特性。碳化硅材料具有非常重要的战略意义，其应用市场巨大，SiC的市场应用领域偏向1000V以上的中高电压范围，具有高压、高温、高频三大优势，比Si更薄、更轻、更小巧，主要应用于高温、高频、抗辐射、大功率器件、半导体激光器等。

第四代半导体材料：

以氧化镓(Ga2O3)为代表，作为新型的宽禁带半导体材料，氧化镓（Ga2O3）由于自身的优异性能，凭借其比第三代半导体材料SiC和GaN更宽的禁带，在紫外探测、高频功率器件等领域吸引了越来越多的关注和研究。氧化镓是一种宽禁带半导体，其导电性能和发光特性良好，因此，其在光电子器件方面有广阔的应用前景，业内对它更大的期待是用于功率器件。使用氧化镓制作的半导体器件可以实现更耐高压、更小体积、更低损耗，可以有效降低新能源汽车、轨道交通、可再生能源发电等领域在能源方面的消耗。